Siliziumwafer mit Epitaxieschicht

Epitaktischer Siliziumwafer

Wir können epitaktische Siliziumwafer von 3 bis 8 Zoll liefern

Substrat

Typ:P,N

Dotierstoff: Bor, Sb, Phos

Dicke: als Ihre Anfrage

Widerstand: als Ihre Anfrage

Epi-Schichttyp: P, P+, N, N+

Dicke der Epi-Schicht: 5–100 µm

Der spezifische Widerstand von Epi laer:0,001-100 Ohm.cm

Hinweis: Wir können maßgeschneiderte Produkte bereitstellen. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf.

Anwendung:

Silizium-Epitaxiewafer sind ein hochwertiges Material, das häufig zur Herstellung hochwertiger Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltkreise verwendet wird. Spezifische Verwendungszwecke umfassen:

1. MOSFET-Geräte mit hoher Elektronenmobilität und geringem Rauschen

2. Hochfrequenz-Leistungsverstärker, Phasenregelkreis und HF-Frontend-Komponenten

3. Solarzellen

4. LED und Laserdiode

5. Sensoren und leistungselektronische Geräte, die bei hohen Temperaturen betrieben werden

6. Optoelektronische Geräte für Hochgeschwindigkeitskommunikationsgeräte

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der Anwendungsbereich von epitaktischen Siliziumwafern sehr breit ist und mehrere Bereiche wie Informationskommunikation, Energie, Optoelektronik usw. umfasst

FAQ:

1: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge?

Wir haben Lagerbestände. Teilen Sie uns daher bitte die Menge mit, die Sie benötigen. Anschließend prüfen wir die Menge unseres Lagerbestands. Wenn wir keinen Lagerbestand haben, basiert die Entscheidung auf unserem Material, das wir haben.

2: Wie lange dauert die Produktion?

Wenn wir Lagerbestände haben, beträgt die Vorlaufzeit ca. 2-3 Wochen. Wenn die Produktion erforderlich ist, muss die Vorlaufzeit anhand Ihrer Menge besprochen werden.

3: Was ist Ihre Zahlungsmethode?

Normalerweise per TT, wenn Sie eine andere Methode benötigen, besprechen Sie diese bitte mit uns.