Siliziumwafer-Anwendung

Beim Epitaxieverfahren handelt es sich eigentlich um eine Dünnschicht-Einkristall-Züchtungstechnik, bei der eine neue Einkristallschicht mit einem bestimmten Leitfähigkeitstyp, einem bestimmten Widerstand, einer bestimmten Dicke und einer Gitterstruktur im Einklang mit massiven Einkristallen entlang der Kristallrichtung auf dem Substrat aus Silizium-Einkristallen darunter gezüchtet wird bestimmte Bedingungen.