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Halbleitermaterialien werden nach Anwendungsverknüpfungen unterteilt und können in zwei Kategorien unterteilt werden: Front-End-Wafer-Herstellungsmaterialien und Back-End-Verpackungsmaterialien. Zu den wichtigsten Waferherstellungsmaterialien gehören: Siliziumwafer, elektronische Spezialgase, Fotolacke und unterstützende Reagenzien, nasse elektronische Chemikalien, Poliermaterialien, Targets, Fotomasken usw.; Zu den wichtigsten Verpackungsmaterialien gehören: Leadframes, Verpackungssubstrate, Kunststoffdichtungsmaterialien, Keramikmaterialien, Bonddrähte, Schneidmaterialien usw.   Anteil verschiedener Materialien:   Unter den Halbleitermaterialien machen Fertigungsmaterialien etwa 63,1 % und Verpackungsmaterialien 36,9 % aus;   Unter den Waferherstellungsmaterialien machen Siliziumwafer mit 35 % den höchsten Anteil aus; Elektrogas steht mit einem Anteil von 13 % an zweiter Stelle; An dritter Stelle stehen Masken mit einem Anteil von 12 % und Fotolack mit einem Anteil von 6 %; Fotolack liegt an dritter Stelle. Unterstützende Materialien machen 8 % aus; Nasse elektronische Chemikalien machen 7 % aus; CMP-Poliermaterialien machen 6 % aus; Zielmaterialien machen 2 % aus.   Unter den Verpackungsmaterialien haben Verpackungssubstrate mit 48 % den höchsten Anteil; Leadframes, Bonddrähte, Verpackungsmaterialien, Keramiksubstrate und Chip-Bondmaterialien machen 15 %, 15 %, 10 %, 6 % und 3 % aus.

Siliziumwafer sind in unserem Leben allgegenwärtig. Silikonchips werden häufig in Computergeräten wie Personalcomputern, Servern und Supercomputern verwendet. Sie dienen als Kern der Zentraleinheit (CPU) und steuern den Betrieb des gesamten Computersystems. Die hohe Integration und Leistung von Siliziumchips machen Computersysteme effizienter, stabiler und schneller. Darüber hinaus werden Siliziumchips auch zur Speicherung, Grafikverarbeitung und Steuerung verschiedener Ein- und Ausgabegeräte verwendet. Auch der Kommunikationsbereich ist einer der Bereiche, in denen Siliziumchips weit verbreitet sind. Moderne Kommunikationsgeräte wie Mobiltelefone, Smartphones, WLAN-Router und Kommunikationsbasisstationen kommen nicht ohne Siliziumchips aus. Siliziumchips steuern in diesen Geräten Schlüsselfunktionen wie drahtlose Kommunikation, Signalverarbeitung und Datenübertragung. Mit Beginn der 5G-Ära werden die Anwendungsaussichten von Siliziumchips immer umfassender. Sie werden mehr Rechen- und Verarbeitungsaufgaben übernehmen und so schnellere und stabilere Kommunikationssysteme garantieren. Auch der Bereich der Unterhaltungselektronik ist ein wichtiges Anwendungsgebiet für Siliziumchips. Verschiedene elektronische Produkte im modernen Leben, wie Smart-TVs, Spielekonsolen, Kameras, Audiowiedergabegeräte usw., benötigen Siliziumchips, um verschiedene Funktionen zu erfüllen. Die hohe Leistung und der geringe Stromverbrauch von Siliziumchips machen diese Geräte intelligenter, tragbarer und stromsparender. Darüber hinaus wird mit dem Aufkommen der künstlichen Intelligenz und des Internets der Dinge die Anwendung von Siliziumchips im Bereich der Unterhaltungselektronik weiter zunehmen. Die weitverbreitete Anwendung von Siliziumscheibe hat enorme Veränderungen in unserem Leben bewirkt.

Nach der Klassifizierung der Herstellungsverfahren Halbleiter-Siliziumwafer können hauptsächlich in polierte Wafer, epitaktische Wafer und hochwertige Materialien auf Siliziumbasis unterteilt werden, die durch SOI-Siliziumwafer repräsentiert werden. Einkristalline Siliziumbarren werden durch Schneiden, Schleifen und Polieren verarbeitet, um polierte Wafer zu erhalten. Der polierte Wafer durchläuft ein epitaktisches Wachstum, um einen epitaktischen Wafer zu bilden, der dann durch Prozesse wie Oxidation, Bonden oder Ionenimplantation verarbeitet wird, um einen SOI-Siliziumwafer zu bilden.Gemäß der Größenklassifizierung umfassen die Abmessungen von Halbleiter-Siliziumwafern (berechnet in Durchmesser) hauptsächlich Spezifikationen wie 125 mm (5 Zoll), 150 mm (6 Zoll), 200 mm (8 Zoll) und 300 mm (12 Zoll).Je größer der Siliziumwafer ist, desto mehr Chips befinden sich auf einem einzelner Siliziumwafer, was die Produktionseffizienz verbessern und die Produktionskosten senken kann. Ein 300-mm-Siliziumwafer hat die 2,25-fache Fläche eines 200-mm-Siliziumwafers und beträgt, bezogen auf die Anzahl der produzierten Chips, 1,5 cm ×. Bei einem 1,5-cm-Chip als Beispiel gibt es 232 300-mm-Siliziumchips und 88 200-mm-Siliziumchips. Die Anzahl der 300-mm-Siliziumchips ist 2,64-mal so groß wie die der 200-mm-Siliziumchips.

Wir stellen beugungsfreies Silizium vor – eine neue Definition der Präzision in der XRD-TechnologieBetreten Sie die Welt der hochmodernen Röntgenbeugung mit Zero Diffraction Silicon. Dieser revolutionäre Siliziumwafer wurde mit viel Liebe zum Detail hergestellt und ist so konstruiert, dass er selbst die geringste Spur von Beugung eliminiert und so genaue und präzise Ergebnisse bei Röntgenbeugungsexperimenten gewährleistet.Nutzen Sie das volle Potenzial Ihres XRD-Systems mit Zero Diffraction Silicon. Während das Licht diesen bemerkenswerten Wafer durchdringt, trifft es auf keine Hindernisse, keine Verzerrungen und keine Interferenzen. Erleben Sie kristallklare Beugungsmuster, die von den Einschränkungen herkömmlicher Materialien unberührt bleiben.Zero Diffraction Silicon ist auf Perfektion ausgelegt und zeichnet sich durch ein unübertroffenes Maß an Reinheit und Gleichmäßigkeit aus. Jeder Wafer wird fehlerfrei nach den höchsten Industriestandards hergestellt und garantiert so eine gleichbleibende Leistung und Messgenauigkeit. Verabschieden Sie sich von Variationen und Unsicherheiten und genießen Sie die Gewissheit zuverlässiger Ergebnisse.Aber bei Zero Diffraction Silicon geht es nicht nur um unübertroffene Präzision; es bietet auch eine außergewöhnliche Haltbarkeit. Dieser Wafer ist beständig gegen Temperaturschwankungen, chemische Reaktionen und physikalische Abnutzung und hält den anspruchsvollsten experimentellen Bedingungen stand, ohne seine phänomenale Leistung zu beeinträchtigen. Seien Sie sich einer langlebigen Qualität sicher, die Ihnen in unzähligen Experimenten gute Dienste leistet.Einfache Integration ist ein Markenzeichen von Silizium ohne Beugung. Für einen nahtlosen Aufbau und Betrieb ist der Wafer so konzipiert, dass er mühelos in Standard-XRD-Systeme passt, sodass keine komplexen Modifikationen oder Anpassungen erforderlich sind. Das bedeutet minimale Ausfallzeiten und maximale Produktivität, sodass sich Forscher und Wissenschaftler auf das Wesentliche konzentrieren können – die Grenzen wissenschaftlicher Entdeckungen zu erweitern.Mit Zero Diffraction Silicon erwartet Sie eine Welt voller Möglichkeiten. Erschließen Sie das Potenzial der Röntgenbeugung mit beispielloser Genauigkeit und Zuverlässigkeit. Ganz gleich, ob Sie neue Materialien erforschen, Kristallstrukturen analysieren oder Phasenumwandlungen untersuchen – vertrauen Sie Zero Diffraction Silicon, um Ihre XRD-Experimente zu revolutionieren.Erleben Sie die Zukunft der XRD-Technologie. Entdecken Sie noch heute Zero Diffraction Silicon und erleben Sie eine neue Ära der Präzision in der wissenschaftlichen Forschung.

Wafer aus Siliziumkarbid (SiC). sind normalerweise Einkristalle, aber diese Einkristall-SiC-Wafer kann aus verschiedenen polykristallinen Formen bestehen, einschließlich 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC usw. Jede polykristalline Form hat ihre eigenen einzigartigen Eigenschaften.3C-SiC hat eine kubische Struktur4H-SiC hat eine tetragonale Struktur6H-SiC hat eine doppelte hexagonale Struktur Ihre Unterschiede im Atomanordnungsmuster und der Koordinationszahl. 3C-SiC hat die höchste theoretische Elektronengeschwindigkeit, weist aber auch die größten Korrosionsspuren durch Verunreinigungen auf. 4H-SiC und 6H-SiC haben bessere Kosten-Wirksamkeit und Zuverlässigkeit der Ausrüstung. 3C-SiC hat eine kubische Kristallstruktur, wobei jedes Siliziumatom von vier Kohlenstoffatomen und vier benachbarten Siliziumatomen umgeben ist. Diese Struktur hat die höchste theoretische Elektronengeschwindigkeit, ist aber auch anfällig dafür Verunreinigungen, was zu verunreinigten Korrosionsspuren führt. 4H-SiC und 6H-SiC gehören beide zum hexagonalen Kristallsystem. Ihre atomaren Anordnungen sind unterschiedlich, aber beide weisen aufgrund ihrer Kristallstruktur eine bessere Kosteneffizienz und Gerätezuverlässigkeit auf Bessere Stabilität und geringere Verunreinigungskonzentrationen ermöglichen den Betrieb bei hohen Temperaturen, hoher Leistung und hohen Spannungen.