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Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der dritten Generation mit hervorragenden physikalischen Eigenschaften wie hoher Energielücke, hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher Elektronensättigungsdriftrate. Es verfügt über breite Anwendungsaussichten in Hochtemperatur-, Hochleistungs-, Hochdruck-, Hochfrequenz- und anderen Bereichen wie Elektrofahrzeugen, Kommunikation, Energie, Industrie usw.
Art.-Nr :
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ChinaSiliziumkarbid-Substratwafer
| Polytypie | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Durchmesser | 2 Zoll | 3 Zoll | 4 Zoll | 6 Zoll | 2 Zoll | 3 Zoll | 4 Zoll | 6 Zoll |
| Dicke | 330 ± 25 μm | 330 ± 25 μm |
| Leitfähigkeit | N – Typ / Halbisolierend | N – Typ / Halbisolierend |
| Orientierung | Auf Achse <0001> | Auf Achse <0001> |
| Außerhalb der Achse <0001> aus 4° | Außerhalb der Achse <0001> aus 4° | |
| Widerstand | 0,015 ~ 0,03 Ohm-cm | 0,02 ~ 0,1 Ohm-cm |
| (4H-N) | (6H-N) | |
| Mikrorohrdichte (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| TTV | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| Bogen / Kette | ≤25 μm | ≤25 μm |
| Oberfläche | DSP/SSP | DSP/SSP |
| Grad | Produktions-/Forschungsqualität | Produktions-/Forschungsqualität |
| Gitterparameter | a=3,076A, c=10,053A | a=3,073A, c=15,117A |
| Eg/eV (Bandlücke) | 3,27 eV | 3,02 eV |
| ε (Dielektrizitätskonstante) | 9.6 | 9.66 |
| Brechungsindex | n0 =2,719 ne =2,777 | n0 =2,707 , ne =2,755 |
| Hinweis: Wir können maßgeschneiderte Produkte bereitstellen. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf. |
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Anwendung:
1, Leistungselektronische Geräte: Siliziumkarbid-Wafer sind in der Lage, hohen Spannungen standzuhalten und bei hohen Temperaturen zu arbeiten, weshalb sie im Bereich leistungselektronischer Geräte weit verbreitet sind.
2, Optoelektronische Geräte: Siliziumkarbid-Chips können zu LEDs (Leuchtdioden) mit hoher Helligkeit für den Einsatz in Bereichen wie Beleuchtung, Anzeige und Kommunikation verarbeitet werden. Darüber hinaus können Siliziumkarbidwafer auch zur Herstellung von Solarzellen mit hoher photoelektrischer Umwandlungseffizienz und längerer Lebensdauer verwendet werden.
3, Infrarot-Detektoren: Siliziumkarbid-Wafer haben eine hohe Empfindlichkeit gegenüber Infrarotstrahlung, weshalb sie im Bereich der Rotdetektoren weit verbreitet sind.
4, Automobilelektronik: Die Hochtemperatur-Bearbeitbarkeit und die hohe Druckbeständigkeit von Siliziumkarbid-Wafern machen sie zu einem idealen Material im Bereich der Automobilelektronik.
FAQ:
1: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge?
Wir haben Lagerbestände. Teilen Sie uns daher bitte die Menge mit, die Sie benötigen. Anschließend prüfen wir die Menge unseres Lagerbestands. Wenn wir keinen Lagerbestand haben, basiert die Entscheidung auf unserem Material, das wir haben.
2: Wie lange dauert die Produktion?
Wenn wir Lagerbestände haben, beträgt die Vorlaufzeit ca. 2-3 Wochen. Wenn die Produktion erforderlich ist, muss die Vorlaufzeit anhand Ihrer Menge besprochen werden.
3: Was ist Ihre Zahlungsmethode?
Normalerweise per TT, wenn Sie eine andere Methode benötigen, besprechen Sie diese bitte mit uns.
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