Siliziumkarbid-Wafer

Siliziumkarbid-Wafer

Wir können 2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll- und 6-Zoll-SIC-Substrate anbieten. Siliziumkarbid (SiC) ist ein neuartiges Verbindungshalbleitermaterial mit überlegener Leistung. Siliziumkarbid-Halbleiter verfügen über hervorragende Eigenschaften wie eine große Bandlückenbreite (ungefähr dreimal so hoch wie die von Silizium), eine hohe kritische Feldstärke (ungefähr zehnmal so hoch wie die von Silizium) und eine hohe Wärmeleitfähigkeit (ungefähr dreimal so hoch wie die von Silizium). Sie sind ideale Halbleitermaterialien für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungs-Leistungselektronikgeräten (Leistungschips).