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Durch die Abscheidung von Metallfilmen auf der Oberfläche von Siliziumwafern können Komponenten wie Elektrodendrähte und Transistoren hergestellt werden. Diese Metallfilme weisen eine gute Leitfähigkeit und Stabilität auf, wodurch der normale Betrieb des Stromkreises gewährleistet werden kann. Im Allgemeinen handelt es sich bei den Metallfilmen um Gold, Platin, Aluminium, Kupfer, Silber usw.
Art.-Nr :
005Bestellung (MOQ) :
1Zahlung :
100% PrepaySiliziumsubstrat mit Metallfilm
| Durchmesser | 2 Zoll | 4 Zoll | 6 Zoll | 8 Zoll |
| Orientierung | (100),(111) | (100),(111) | (100),(111) | (100),(111) |
| Typ | N,P,Intrinsisch | N,P,Intrinsisch | N,P,Intrinsisch | N,P,Intrinsisch |
| Dotierstoff | Phos, Bor, As, Sb, Undopant | Phos, Bor, As, Sb, Undopant | Phos, Bor, As, Sb, Undopant | Phos, Bor, Undopant |
| Untergrunddicke | 280, 400, 500, jede andere Dicke nach Ihren Wünschen | 500.525, jede andere Dicke nach Ihren Wünschen | 625.675, jede andere Dicke als Ihre Anfrage | 725, jede andere Dicke als Ihre Anfrage |
| Spezifischer Widerstand (Ohm.cm) | <0,1,<0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000 jede andere als Ihre Anfrage | <0,1,<0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000 jede andere als Ihre Anfrage | <0,1,<0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000 jede andere als Ihre Anfrage | <0,1,<0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000 jede andere als Ihre Anfrage |
| Metallfilm | Au, Pt, Al, Cu, Ni, Ag und so weiter | Au, Pt, Al, Cu, Ni, Ag und so weiter | Au, Pt, Al, Cu, Ni, Ag und so weiter | Au, Pt, Al, Cu, Ni, Ag und so weiter |
| Die Dicke der Sio2-Schicht | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 1 um jede andere Dicke als Ihre Anfrage | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 1 um jede andere Dicke als Ihre Anfrage | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 1 um jede andere Dicke als Ihre Anfrage | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 1 um jede andere Dicke als Ihre Anfrage |
| Hinweis: Wir können maßgeschneiderte Produkte bereitstellen. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf. | ||||
FAQ:
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