Nullbeugungs-Siliziumwafer für XRD

FZ Siliziumwafer Die Wachstumsmethode Float Zone besteht meist aus leicht dotiertem oder nicht dotiertem Stoff mit hohem spezifischem Widerstand. Der spezifische Widerstand beträgt meist ＞1000 Ohm.cm.In einigen Fällen kann die Dotierung von zonenschmelzenden Siliziumstäben jedoch auch durch NTD-Beleuchtung und GD-Gasdotierung erreicht werden, um eine bessere Gleichmäßigkeit und einen geringeren spezifischen Widerstand zu erreichen.Wenn Sie Spezifikationen für ein Siliziumsubstrat benötigen, können Sie uns kontaktieren.

Monokristalliner Czochralski-SiliziumwaferWachstumsmethode: CZ Der Hauptprozess besteht darin, polykristallines Silizium in den Tiegel zu geben, es zu erhitzen, um es zu schmelzen, dann einen einkristallinen Siliziumkeimkristall einzuspannen und ihn über dem Tiegel aufzuhängen. Wenn Sie gerade ziehen, führen Sie ein Ende in die Schmelze ein, bis es schmilzt, drehen Sie es dann langsam und ziehen Sie es nach oben. Auf diese Weise entsteht durch allmähliche Kondensation an der Grenzfläche zwischen Flüssigkeit und Feststoff ein Einkristall. Da der gesamte Prozess als ein Prozess der Replikation des Impfkristalls betrachtet werden kann, handelt es sich bei dem erzeugten Siliziumkristall um einkristallines Silizium.Die Czochralski-Methode weist einen relativ hohen Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt sowie viele Verunreinigungen und Defekte auf, ist aber kostengünstig. Normalerweise Cz-Siliziumwafer-Dotierstoff Phosphor, Bor, Sb, As.

Je nach Prozessmethode kann es in CZ-Si-Einkristall, FZ-Si-Einkristall und MCZ-Si-Einkristall unterteilt werden. Zonenschmelzender Silizium-Einkristall wird hauptsächlich zur Herstellung leistungselektronischer Geräte und Hochleistungstransistoren verwendet. Magnetischer Silizium-Einkristall wird hauptsächlich zur Herstellung von CCI-Geräten verwendet. 90 % der Produktion besteht aus Czochralski-Silizium-Einkristallen, die zur Herstellung integrierter Schaltkreise und anderer diskreter Komponenten verwendet werden.Es kann je nach Zweck in Silizium-Einkristalle auf Schaltkreisebene, Silizium-Einkristalle auf Detektorebene usw. unterteilt werdenWir können CZ, MCZ, FZ m liefernonokristalliner Siliziumbarren.

Beim Siliziumoxidwafer entsteht durch thermisches Wachstum eine gleichmäßige Oxidschicht auf der blanken Siliziumwaferoberfläche. Der Oxidationsprozess umfasst eine Hochtemperatur-Trockenoxidation und eine Hochtemperatur-Nassoxidation.

Durch die Abscheidung von Metallfilmen auf der Oberfläche von Siliziumwafern können Komponenten wie Elektrodendrähte und Transistoren hergestellt werden. Diese Metallfilme weisen eine gute Leitfähigkeit und Stabilität auf, wodurch der normale Betrieb des Stromkreises gewährleistet werden kann. Im Allgemeinen handelt es sich bei den Metallfilmen um Gold, Platin, Aluminium, Kupfer, Silber usw.

Si3N4-Film auf Siliziumwafer durch LPCVD.

Beim Epitaxieverfahren handelt es sich eigentlich um eine Dünnschicht-Einkristall-Züchtungstechnik, bei der eine neue Einkristallschicht mit einem bestimmten Leitfähigkeitstyp, einem bestimmten Widerstand, einer bestimmten Dicke und einer Gitterstruktur im Einklang mit massiven Einkristallen entlang der Kristallrichtung auf dem Substrat aus Silizium-Einkristallen darunter gezüchtet wird bestimmte Bedingungen.

Es eignet sich zum Testen von Proben mit starken Absorptionsspitzen in vielen Bereichen und kann den Einfluss von Hintergrundrauschen ableiten.Wir haben einige Lagerbestände an Zero Diffraction Silicon Wafer. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf.

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12-Zoll-Dummy zum Testen vor der eigentlichen Produktion.Wird auch für Prüfgeräte verwendet.Wir haben einen großen Bestand an 12-Zoll-Siliziumwafern zu sehr günstigen Preisen.Wir freuen uns, wenn Sie uns Ihre Anfrage senden.

Das Schneiden von Siliziumwafern wird hauptsächlich in den Bereichen Halbleiter, Optoelektronik und Solarenergie eingesetzt und ist einer der wichtigen Prozesse zur Herstellung von Chips und optoelektronischen Komponenten.