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Gemäß der Klassifizierung der Herstellungsverfahren können Halbleiter-Siliziumwafer hauptsächlich in polierte Wafer, epitaktische Wafer und hochwertige Materialien auf Siliziumbasis, dargestellt durch SOI-Siliziumwafer, unterteilt werden. Einkristalline Siliziumbarren werden ges...

Als Halbleitermaterial der dritten Generation weist Siliziumkarbid im Vergleich zu Siliziummaterialien die Eigenschaften einer großen Bandlückenbreite, eines hohen elektrischen Durchbruchfelds, einer hohen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit, einer hohen Wärmeleitfähig...