Wafer aus Siliziumkarbid (SiC). sind normalerweise Einkristalle, aber diese Einkristall-SiC-Wafer kann aus verschiedenen polykristallinen Formen bestehen, einschließlich 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC usw. Jede polykristalline Form hat ihre eigenen einzigartigen Eigenschaften.

3C-SiC hat eine kubische Struktur

4H-SiC hat eine tetragonale Struktur

6H-SiC hat eine doppelte hexagonale Struktur

 

Ihre Unterschiede im Atomanordnungsmuster und der Koordinationszahl. 3C-SiC hat die höchste theoretische Elektronengeschwindigkeit, weist aber auch die größten Korrosionsspuren durch Verunreinigungen auf.

4H-SiC und 6H-SiC haben bessere Kosten-Wirksamkeit und Zuverlässigkeit der Ausrüstung.

 

3C-SiC hat eine kubische Kristallstruktur, wobei jedes Siliziumatom von vier Kohlenstoffatomen und vier benachbarten Siliziumatomen umgeben ist. Diese Struktur hat die höchste theoretische Elektronengeschwindigkeit, ist aber auch anfällig dafür Verunreinigungen, was zu verunreinigten Korrosionsspuren führt.

 

4H-SiC und 6H-SiC gehören beide zum hexagonalen Kristallsystem. Ihre atomaren Anordnungen sind unterschiedlich, aber beide weisen aufgrund ihrer Kristallstruktur eine bessere Kosteneffizienz und Gerätezuverlässigkeit auf Bessere Stabilität und geringere Verunreinigungskonzentrationen ermöglichen den Betrieb bei hohen Temperaturen, hoher Leistung und hohen Spannungen.