Als Halbleitermaterial der dritten Generation weist Siliziumkarbid im Vergleich zu Siliziummaterialien die Eigenschaften einer großen Bandlückenbreite, eines hohen elektrischen Durchbruchfelds, einer hohen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit, einer hohen Wärmeleitfähigkeit und einer hohen Strahlungsbeständigkeit auf. Es eignet sich zur Herstellung von Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzprodukten. , Hochleistungsgeräte. Derzeit ist die Nachfrage nach Siliziumkarbid auf dem nachgelagerten Markt, von der Photovoltaik bis hin zu Fahrzeugen mit neuer Energie, stark. Insbesondere da die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und neuen Energien weiter wächst, zeigt die Nachfrage nach SiC-Materialien einen enormen Wachstumstrend. Inländisches Siliziumkarbid schreitet immer schneller von der Industrialisierung zur Kommerzialisierung voran. Aus Sicht der Industriekette ist die SiC-Industriekette relativ lang und umfasst eine Reihe von Gliedern wie Substrat, Epitaxie, Gerätedesign, Geräteherstellung, Verpackung und Prüfung. Jede Verbindung erfordert hohe Professionalität und erfordert außerdem hohe Technologie und Kapitalinvestitionen.